Correlation between material quality and high frequency performance of graphene field-effect transistors
Konferensbidrag (offentliggjort, men ej förlagsutgivet), 2019

Correlations between material quality, equivalent circuit and high frequency parameters of the graphene field-effect transistors, such as mobility, contact resistivity, carrier velocity, drain conductivity, transit frequency and maximum frequency of oscillation, have been established via applying drain resistance, velocity and saturation velocity models. The correlations allow for understanding dominant limitations of the high frequency performance of transistors, which clarifies the ways of their further development. In particular, the relatively high drain conductivity is currently main limiting factor, which, however, can be counterbalanced by increasing the carrier velocity via operating transistors at higher fields, in the velocity saturation mode.

maximum frequency of oscillation

contact resistances

spatial inhomogeneity

field effect transistors

microwave electronics

graphene

transit frequency

high frequency

Författare

Muhammad Asad

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Marlene Bonmann

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Xinxin Yang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Andrei Vorobiev

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Jan Stake

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Graphene Week 2019
Helsinki, Finland,

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik (2010-2017)

Drivkrafter

Hållbar utveckling

Innovation och entreprenörskap

Ämneskategorier

Medicinsk laboratorie- och mätteknik

Geoteknik

Annan elektroteknik och elektronik

Fundament

Grundläggande vetenskaper

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

Mer information

Skapat

2019-10-28