Method for Suppressing Trap-Related Memory Effects in IV Characterizations of GaN HEMTs
Paper i proceeding, 2024
Wide band gap semiconductors
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Electric fields
Författare
Johan Bremer
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
10719032 (ISSN) 21581029 (eISSN)
9798350329896 (ISBN)
Edinburgh, United Kingdom,
Ämneskategorier
Fusion, plasma och rymdfysik
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/ICMTS59902.2024.10520686