Design and Fabrication of 4H-SiC RF MOSFETs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007

We present simulations, fabrication and analysis of 4H-SiC RF power MOSFETs. We obtain an extrinsic transition frequency of 11.2 GHz and an f max = 11.9 GHz, a breakdown voltage above 200 V and an output power of 1.9 W/mm at 3 GHz. The measured devices are double fingered, source-gate-draingate-source with 2 × 0.4 mm total gate width and the nominal channel length of the devices is 0.5 μm. To the authors knowledge, this is the highest transition frequency and output power density ever reported for SiC RF MOSFETs. The antipunchthrough is introduced as a way to take advantage of the SiC's material properties. A detailed description of the device processing is also given. © 2007 IEEE.

Författare

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Hans Hjelmgren

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Kristoffer Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thomas Rödle

NXP Semiconductors

Hendrikus Jos

NXP Semiconductors

IEEE Transactions on Electron Devices

0018-9383 (ISSN)

Vol. 54 12 3138-3145

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik

DOI

10.1109/TED.2007.908547

Mer information

Skapat

2017-10-07