High performance, long wavelength InGaAs/GaAs multiple quantum-well lasers grown by molecular beam epitaxy
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2007

High-quality 1.2 µm InGaAs/GaAs single and triple quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy are demonstrated. For the triple quantum well, a record low threshold current density of 107 A/cm2/well is achieved for a 100 x 1000 µm laser.

Författare

Göran Adolfsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Mahdad Sadeghi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Anders Larsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Electronic Letters

Vol. 43 8 454-456

Ämneskategorier

Telekommunikation