Influence of Field Plates and Surface Traps on Microwave Silicon Carbide MESFETs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2008

The influence of field plates and surface traps on silicon carbide MESFETs for microwave operation was investigated. By increasing the length of gate-connected field plates from 50 to 800 nm, it was possible to increase the gate–drain breakdown voltage of the devices from 125 to 170 V. At the same time, the current slump effect of traps in the passivation oxide was reduced. By using a combination of field plates and a passivation oxide with low interface trap density, it was possible to reach an output power density of 8 W/mm at 3 GHz.

Författare

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mattias Sudow

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Kristoffer Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Hans Hjelmgren

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

IEEE Transactions on Electron Devices

0018-9383 (ISSN)

Vol. 55 1875-1879

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik