Field effect mobility in n-channel Si face 4H-SiC MOSFET with gate oxide grown on aluminium ion-implanted material
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005
Författare
Gudjon Gudjonsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Halldor Olafsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Fredrik Allerstam
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Einar Sveinbjörnsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Thomas Rödle
Hendrikus Jos
Materials Science Forum
Vol. 483-485 833-836
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik