Fabrication of novel unipolar nanodiodes in InAs/AlSb for microwave detection
Paper i proceeding, 2011
Abstract—We report on the fabrication of unipolar nanodiodes into an InAs/AlxGa1-xSb quantum-well heterostructure for room temperature microwave detection up to 110 GHz. Electron-beam lithography was combined with both dry- and wet-etching, and we explored the differences in the electric and detection parameters with the two methods.
Författare
L.Q.Zhang
University of Manchester
Y.Alimi
University of Manchester
C.Balocco
University of Manchester
Huan Zhao Ternehäll
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Andreas Westlund
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
A.M. Song
University of Manchester
Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2011 36th International Conference on
2162-2027 (ISSN)
2-7 Oct. 2011 1-2978-1-4577-0508-3 (ISBN)
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/irmmw-THz.2011.6104983
ISBN
978-1-4577-0508-3