True planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implantation technique for low-power cryogenic applications
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2013
Cryogenic
alsb/inas hemts
Ion implantation
impact ionization
inas
Low-power
device
InAs/AlSb high electron mobility transistor (HEMT)
isolation
gaas
heterostructures
MMICs
low-voltage
ohmic contacts
conductance
field-effect transistors
Författare
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Morteza Abbasi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
A. Hallen
Kungliga Tekniska Högskolan (KTH)
L. Desplanque
Université de Lille
X. Wallart
Université de Lille
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Solid-State Electronics
0038-1101 (ISSN)
Vol. 79 268-273Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1016/j.sse.2012.06.013