Phase transition of bismuth telluride thin films grown by MBE
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2014
A previously unreported phase transition between Bi2Te3 and Bi4Te3 in bismuth telluride grown by molecular beam epitaxy is recorded via XRD, AFM, and SIMS observations. This transition is found to be related to the Te/Bi beam equivalent pressure (BEP) ratio. BEP ratios below 17 favor the formation of Bi4Te3 while Bi2Te3 is formed at higher ratios. Transport measurements reveal that Bi2Te3 has higher electron mobility than Bi4Te3.
Författare
Attila Fülöp
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Yuxin Song
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Sophie Charpentier
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Peixiong Shi
Danmarks Tekniske Universitet (DTU)
Maria Ekström
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
luca galletti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Riccardo Arpaia
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Thilo Bauch
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Floriana Lombardi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Shu Min Wang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Applied Physics Express
18820778 (ISSN) 18820786 (eISSN)
Vol. 7 4 Art. no. 045503- 045503Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
Styrkeområden
Materialvetenskap
DOI
10.7567/APEX.7.045503