Evaluation of an InAlN/AlN/GaN HEMT with Ta-based ohmic contacts and PECVD SiN passivation
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2014
Ta
passivation
InAlN
HEMT
ohmic contact
Författare
Anna Malmros
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
P. Gamarra
Thales Group
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
M. A. di Forte-Poisson
Thales Group
C. Lacam
Thales Group
M. Tordjman
Thales Group
R. Aubry
Thales Group
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
1862-6351 (ISSN) 1610-1642 (eISSN)
Vol. 11 3-4 924-927Styrkeområden
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1002/pssc.201300320