Effect of compositional interlayers on the vertical electrical conductivity of Si-doped AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on SiC''
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2017
We have investigated the effect of strain-compensating interlayers on the vertical electrical conductivity of Si-doped AlN/GaN distributed Bragg reflectors (DBRs). Samples with 10.5 mirror pairs were grown through plasma-assisted molecular beam epitaxy on SiC. Room-temperature current–voltage characteristics were measured vertically in mesas through 8 of the 10.5 pairs. The sample with no interlayers yields a mean specific series resistance of 0.044 Ω cm2 at low current densities, while three samples with 5/5-Å-thick, 2/2-nm-thick, and graded interlayers have resistivities between 0.16 and 0.34 Ω cm2. Thus, interlayers impair vertical current transport, and they must be designed carefully when developing conductive DBRs.
Författare
Seyed Ehsan Hashemi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Filip Hjort
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Martin Stattin
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Tommy Ive
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Olof Bäcke
Chalmers, Fysik, Materialens mikrostruktur
Antiope Lotsari
Chalmers, Fysik, Materialens mikrostruktur
Chalmers, Kemi och kemiteknik, Tillämpad kemi
Mats Halvarsson
Chalmers, Fysik, Materialens mikrostruktur
David Adolph
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Vincent Desmaris
Chalmers, Rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling
Denis Meledin
Chalmers, Rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling
Åsa Haglund
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Applied Physics Express
18820778 (ISSN) 18820786 (eISSN)
Vol. 10 5 055501- 055501Styrkeområden
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier
Telekommunikation
Nanoteknik
Infrastruktur
Chalmers materialanalyslaboratorium
Nanotekniklaboratoriet
DOI
10.7567/APEX.10.055501