InGaAs-InAlAs-InP HEMT technology for ultra-high frequency and ultra-low noise performance
Paper i proceeding, 2005

Författare

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Piotr Starski

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mikael Malmkvist

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Malin Fridman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Anna Malmros

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Shu Min Wang

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Proceed. of Conf on InP and Related Materials (IPRM'05)

124-128

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik