Field effect mobility in n-channel Si face 4H-SiC MOSFET with gate oxide grown on aluminium ion-implanted material
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thomas Rödle

Materials Science Forum

Vol. 483-485 833-836

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-06