High field effect mobility in Si face 4H-SiC MOSFET made on sublimation grown epitaxial material
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005
Författare
Einar Sveinbjörnsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Halldor Olafsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gudjon Gudjonsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Fredrik Allerstam
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mikael Syväjärvi
R. Yakimova
C. Hallin
Thomas Rödle
Hendrikus Jos
Materials Science Forum
Vol. 483-485 841-844
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik