High field effect mobility in Si face 4H-SiC MOSFET made on sublimation grown epitaxial material
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mikael Syväjärvi

R. Yakimova

C. Hallin

Thomas Rödle

Materials Science Forum

Vol. 483-485 841-844

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-06