InAs/AlSb HEMTs for cryogenic LNAs at ultra-low power dissipation
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2011
Microwave
Antimonide
InAs/AlSb
HEMT
Low power
frequency
Cryogenic
Low noise amplifier
Författare
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Wadefalk
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Y. Roelens
Université de Lille
A. Noudeviwa
Université de Lille
L. Desplanque
Université de Lille
X. Wallart
Université de Lille
F. Danneville
Université de Lille
G. Dambrine
Université de Lille
S. Bollaert
Université de Lille
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Solid-State Electronics
0038-1101 (ISSN)
Vol. 64 1 47-53Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1016/j.sse.2011.06.048