Fabrication of novel unipolar nanodiodes in InAs/AlSb for microwave detection
Paper i proceeding, 2011

Abstract—We report on the fabrication of unipolar nanodiodes into an InAs/AlxGa1-xSb quantum-well heterostructure for room temperature microwave detection up to 110 GHz. Electron-beam lithography was combined with both dry- and wet-etching, and we explored the differences in the electric and detection parameters with the two methods.

Författare

L.Q.Zhang

University of Manchester

Y.Alimi

University of Manchester

C.Balocco

University of Manchester

Huan Zhao Ternehäll

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Andreas Westlund

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Giuseppe Moschetti

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

A.M. Song

University of Manchester

Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2011 36th International Conference on

2162-2027 (ISSN)

2-7 Oct. 2011 1-2

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/irmmw-THz.2011.6104983

ISBN

978-1-4577-0508-3