Wide Bandwidth Terahertz Mixers Based On Graphene FETs
Paper i proceeding, 2019
In this work, resistive fundamental terahertz mixers with wide RF and IF bandwidths based on graphene field-effect transistors have been demonstrated. With an RF frequency range from 220 GHz to 487 GHz, the estimated values of the 3-dB IF bandwidth are 32 GHz and 56 GHz for mixers with GFET gate lengths of 1.2 ?m and 0.6 ?m, respectively. This is competitive with the performance of mixers based on traditional semiconductor technologies.
Graphene
Graphene transistors
Mixers (machinery)
Bandwidth
Terahertz waves
Författare
Xinxin Yang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Andrei Vorobiev
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Kjell Jeppson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Luca Banszerus
RWTH Aachen University
Christoph Stampfer
RWTH Aachen University
Martin Otto
AMO
Daniel Neumaier
AMO
International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz
21622027 (ISSN) 21622035 (eISSN)
Vol. 2019-September 8873869978-1-5386-8285-2 (ISBN)
44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Paris, France,
Paris, France,
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Infrastruktur
Kollberglaboratoriet
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/IRMMW-THz.2019.8873869