Cryogenic Kink Effect in InP pHEMTs: A Pulsed Measurements Study
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2015
Cryogenic
traps
InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT (GaAs mHEMT)
InGaAs/InAlAs/InP pseudomorphic high-electron mobility transistor (InP pHEMT)
kink effect
pulsed measurements
low noise
Författare
Helena Rodilla
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Joel Schleeh
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Jan Grahn
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN)
Vol. 62 2 532-537Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TED.2014.2380354