Integration of components in a 50 nm {InGaAs}-{InAlAs}-{InP} {HEMT} process with pseudomorphic $\rm{In}_{0.35}{Ga}_{0.35}{As}$ channel
Paper i proceeding, 2004
Författare
Anders Mellberg
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mikael Malmkvist
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Proc. 34th European Microwave Conf.
171-174
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik