Integration of components in a 50 nm {InGaAs}-{InAlAs}-{InP} {HEMT} process with pseudomorphic $\rm{In}_{0.35}{Ga}_{0.35}{As}$ channel
Paper i proceeding, 2004

Författare

Anders Mellberg

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mikael Malmkvist

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Proc. 34th European Microwave Conf.

171-174

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik