Effect of compositional interlayers on the vertical electrical conductivity of Si-doped AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on SiC''
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2017

We have investigated the effect of strain-compensating interlayers on the vertical electrical conductivity of Si-doped AlN/GaN distributed Bragg reflectors (DBRs). Samples with 10.5 mirror pairs were grown through plasma-assisted molecular beam epitaxy on SiC. Room-temperature current–voltage characteristics were measured vertically in mesas through 8 of the 10.5 pairs. The sample with no interlayers yields a mean specific series resistance of 0.044 Ω cm2 at low current densities, while three samples with 5/5-Å-thick, 2/2-nm-thick, and graded interlayers have resistivities between 0.16 and 0.34 Ω cm2. Thus, interlayers impair vertical current transport, and they must be designed carefully when developing conductive DBRs.

Författare

Seyed Ehsan Hashemi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Filip Hjort

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Martin Stattin

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Tommy Ive

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Olof Bäcke

Chalmers, Fysik, Biologisk fysik

Antiope Lotsari

Kemi och kemiteknik, Tillämpad kemi, Teknisk ytkemi

Chalmers, Fysik, Biologisk fysik

Mats Halvarsson

Chalmers, Fysik, Biologisk fysik

David Adolph

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Vincent Desmaris

Chalmers, Rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling

Denis Meledin

Chalmers, Rymd- och geovetenskap, Avancerad mottagarutveckling

Åsa Haglund

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik

Applied Physics Express

1882-0778 (ISSN)

Vol. 10 055501- 055501

Styrkeområden

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Telekommunikation

Nanoteknik

Infrastruktur

Chalmers materialanalyslaboratorium

Nanotekniklaboratoriet

DOI

10.7567/APEX.10.055501