Microwave Performance of 'Buffer-Free' GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2020
GaN
buffer-free 23 heterostructure
HEMTs
microwave
Författare
Ding-Yuan Chen
SweGaN AB
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Anna Malmros
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mattias Thorsell
SweGaN AB
Hans Hjelmgren
SweGaN AB
O. Kordina
SweGaN AB
J. T. Chen
SweGaN AB
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Electron Device Letters
0741-3106 (ISSN) 15580563 (eISSN)
Vol. 41 6 828-831 9068265Ultrakompakt AESA-teknologi för autonoma flygfarkoster
VINNOVA (2017-04870), 2018-01-01 -- 2021-12-31.
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/LED.2020.2988074