Microwave Performance of 'Buffer-Free' GaN-on-SiC High Electron Mobility Transistors
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2020
GaN
HEMTs
microwave
buffer-free 23 heterostructure
Författare
Ding Yuan Chen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
SweGaN AB
Anna Malmros
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mattias Thorsell
SweGaN AB
Hans Hjelmgren
SweGaN AB
O. Kordina
SweGaN AB
J. T. Chen
SweGaN AB
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Electron Device Letters
0741-3106 (ISSN) 15580563 (eISSN)
Vol. 41 6 828-831 9068265Ultrakompakt AESA-teknologi för autonoma flygfarkoster
VINNOVA (2017-04870), 2018-01-01 -- 2021-12-31.
Ämneskategorier
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/LED.2020.2988074