A Cryogenic Scalable Small-Signal & Noise Model of GaN HEMTs
Övrigt konferensbidrag, 2022
Low Noise Amplifiers (LNA)
Gallium Nitride (GaN)
High Electron Mobility Transistors (HEMT)
cryogenic
Författare
Mohamed Aniss Mebarki
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Denis Meledin
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Erik Sundin
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Victor Belitsky
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Vincent Desmaris
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Baeza, Spain,
Ämneskategorier
Annan fysik
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik