Mohamed Aniss Mebarki

Doktorand vid Onsala rymdobservatorium

Läs mer om Mohamed på vår engelska webbplats.

Källa: chalmers.se
Image of Mohamed Aniss Mebarki

Visar 9 publikationer

2023
Open Access icon

GaN High-Electron-Mobility Transistors with Superconducting Nb Gates for Low-Noise Cryogenic Applications

Mohamed Aniss Mebarki, Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo, Alexey Pavolotskiy et al
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. Vol. 220 (8)
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2023
Open Access icon

A Cryogenic Scalable Small-Signal & Noise Model of GaN HEMTs

Mohamed Aniss Mebarki, Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo, Erik Sundin et al
Proceedings of the 32nd IEEE International Symposium on Space THz Technology
Paper i proceeding
2023
Open Access icon

Noise Characterization and Modeling of GaN-HEMTs at Cryogenic Temperatures

Mohamed Aniss Mebarki, Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo, Denis Meledin et al
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. Vol. 71 (5), p. 1923-1931
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2023
Open Access icon

Comparison of the low noise performance of GaN HEMTs and MIS-HEMTs at cryogenic temperatures

Mohamed Aniss Mebarki, Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo, Erik Sundin et al
2023 18th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2023, p. 29-32
Paper i proceeding
2022
Open Access icon

A Cryogenic Scalable Small-Signal & Noise Model of GaN HEMTs

Mohamed Aniss Mebarki, Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo, Erik Sundin et al
32nd International Symposium of Space Terahertz Technology, ISSTT 2022
Paper i proceeding
2022
Open Access icon

Wideband Slotline-to-Microstrip Transition for 210-375 GHz based on Marchand Baluns

Cristian Daniel López, Mohamed Aniss Mebarki, Vincent Desmaris et al
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. Vol. 12 (3), p. 307-316
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2022
Open Access icon

A Cryogenic Scalable Small-Signal & Noise Model of GaN HEMTs

Mohamed Aniss Mebarki, Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo, Denis Meledin et al
Övrigt konferensbidrag
2022
Open Access icon

GaN HEMT with superconducting Nb gates for low noise cryogenic applications

Mohamed Aniss Mebarki, Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo, Alexey Pavolotskiy et al
2022 Compound Semiconductor Week, CSW 2022
Paper i proceeding
2022
Open Access icon

GaN-based HEMTs for Cryogenic Low-Noise Applications

Mohamed Aniss Mebarki
Licentiatavhandling

Ladda ner publikationslistor

Du kan ladda ner denna lista till din dator.

Filtrera och ladda ner publikationslista

Som inloggad användare hittar du ytterligare funktioner i MyResearch.

Du kan även exportera direkt till Zotero eller Mendeley genom webbläsarplugins. Dessa hittar du här:

Zotero Connector
Mendeley Web Importer

Tjänsten SwePub erbjuder uttag av Researchs listor i andra format, till exempel kan du få uttag av publikationer enligt Harvard och Oxford i .RIS, BibTex och RefWorks-format.

Det finns inga projekt att visa.
Det kan finnas fler projekt där Mohamed Aniss Mebarki medverkar, men du måste vara inloggad som anställd på Chalmers för att kunna se dem.

Feedback och support

Om du har frågor, behöver hjälp, hittar en bugg eller vill ge feedback kan du göra det här nedan. Du når oss också direkt per e-post research.lib@chalmers.se.

Om tjänsten

Research.chalmers.se innehåller information om forskning på Chalmers, publikationer och projekt inklusive information om finansiärer och samarbetspartners.

Läs mer om tjänsten, täckningsgrad och vilka som kan se informationen

Personuppgifter och cookies

Tillgänglighet

Citation Style Language
citeproc-js (Frank Bennett)

Länkar

Chalmers bibliotek
Chalmers forskning
Chalmers examensarbeten

Chalmers tekniska högskola

412 96 GÖTEBORG
TELEFON: 031-772 10 00
WWW.CHALMERS.SE