Optimization of Channel Structures in InP HEMT Technology for Cryogenic Low-Noise and Low-Power Operation
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2023
indium (In) channel content
Indium phosphide
quantum computer
noise
InP high-electron mobility transistor (HEMT)
Cryogenic
dc power
low-noise amplifier (LNA)
Cryogenics
III-V semiconductor materials
Logic gates
Qubit
HEMTs
Transconductance
Författare
Eunjung Cha
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Niklas Wadefalk
Low Noise Factory AB
Giuseppe Moschetti
Qamcom Research & Technology
Arsalan Pourkabirian
Low Noise Factory AB
Jörgen Stenarson
Low Noise Factory AB
Junjie Li
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
Dae Hyun Kim
Kyungpook National University
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN) 15579646 (eISSN)
Vol. 70 5 2431-2436Ämneskategorier
Annan fysik
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/TED.2023.3255160