Influence of Passivation Oxide Properties on SiC Field-plated Buried Gate MESFETs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2009

Författare

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mattias Sudow

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Kristoffer Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Hans Hjelmgren

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Materials Science Forum

0255-5476 (ISSN)

Vol. 600-603 1103-1106

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Den kondenserade materiens fysik

DOI

10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.1103

Mer information

Skapat

2017-10-07