Influence of Passivation Oxide Properties on SiC Field-plated Buried Gate MESFETs
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2009
Författare
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mattias Sudow
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Fredrik Allerstam
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Kristoffer Andersson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Einar Sveinbjörnsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Hans Hjelmgren
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Materials Science Forum
0255-5476 (ISSN) 16629752 (eISSN)
Vol. 600-603 1103-1106Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.1103