An SiC MESFET-based MMIC process
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006

A monolithic microwave integrated circuit (MMIC)process based on an in-house SiC MESFET technology has been developed. The process uses microstrip technology, and a complete set of passive components, including MIMcapacitors, spiral inductors,thin-film resistors, and via-holes, has been developed. The potential of the process is demonstrated by an 8-W power amplifier at 3 GHz, a high-linearity -band mixer showing a third-order intercept point of 38 dBm, and a high-power limiter.

Författare

Mattias Sudow

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Kristoffer Andersson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Billström

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Hans Hjelmgren

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Johan Ståhl

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Vol. 54 12, Part 1 4072-4078

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

Mer information

Skapat

2017-10-08