GaN High-Electron-Mobility Transistors with Superconducting Nb Gates for Low-Noise Cryogenic Applications
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2022
Superconductivity
Niobium (Nb)
Gallium Nitride (GaN)
High electron mobility transistor (HEMT)
Cryogenic
Författare
Mohamed Aniss Mebarki
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Alexey Pavolotskiy
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Denis Meledin
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Erik Sundin
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Victor Belitsky
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Vincent Desmaris
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
1862-6300 (ISSN) 1862-6319 (eISSN)
Ämneskategorier
Materialteknik
Annan fysik
Elektroteknik och elektronik
Nanoteknik
DOI
10.1002/pssa.202200468