Noise Characterization and Modeling of GaN-HEMTs at Cryogenic Temperatures
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2022
Författare
Mohamed Aniss Mebarki
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Denis Meledin
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Erik Sundin
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Victor Belitsky
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
Vincent Desmaris
Chalmers, Rymd-, geo- och miljövetenskap, Onsala rymdobservatorium
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
0018-9480 (ISSN)
Vol. In pressÄmneskategorier
Signalbehandling
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/TMTT.2022.3226480