David Adolph

Forskare vid Mikrovågselektronik

Källa: chalmers.se
Image of David Adolph

Visar 12 publikationer

2018

Vertical Electrical Conductivity of ZnO/GaN Multilayers for Application in Distributed Bragg Reflectors

Filip Hjort, Seyed Ehsan Hashemi, David Adolph et al
IEEE Journal of Quantum Electronics. Vol. 54 (4)
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2018

Towards ultraviolet and blue microcavity lasers

Michael Alexander Bergmann, Filip Hjort, Seyed Ehsan Hashemi et al
Northen Optics and Photonics conference. Vol. 2018
Paper i proceeding
2018

Electron Trapping in Extended Defects in Microwave AlGaN/GaN HEMTs with Carbon-Doped Buffers

Johan Bergsten, Mattias Thorsell, David Adolph et al
IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 65 (6), p. 2446-2453
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2017

Effect of compositional interlayers on the vertical electrical conductivity of Si-doped AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on SiC''

Seyed Ehsan Hashemi, Filip Hjort, Martin Stattin et al
Applied Physics Express. Vol. 10 (5), p. 055501-
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2017

Electrically conductive ZnO/GaN distributed Bragg reflectors grown by hybrid plasma-assisted molecular beam epitaxy

Filip Hjort, Seyed Ehsan Hashemi, David Adolph et al
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Vol. 10104, p. 1010413-1
Paper i proceeding
2017

Nanoscale structuring to improve laser performance

Åsa Haglund, Seyed Ehsan Hashemi, Filip Hjort et al
Proceedings of the Stanford Chalmers Workshop on Advancing Materials Innovatively. Vol. 2017
Paper i proceeding
2016

Hybrid ZnO/GaN distributed Bragg reflectors grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

David Adolph, Reza R. Zamani, Kimberly A. Dick et al
APL Materials. Vol. 4 (8), p. 086106-
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2016

Impact of O2 flow rate on the growth rate of ZnO(0001) and ZnO(000-1) on GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy

David Adolph, Tommy Ive
Physica Status Solidi (B): Basic Research. Vol. 253 (8), p. 1523-1528
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2015

Growth of ZnO(0001) on GaN(0001)/4H-SiC buffer layers by plasma-assisted hybrid molecular beam epitaxy

David Adolph, Tobias Tingberg, Tommy Ive
Journal of Crystal Growth. Vol. 426, p. 129-134
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2015

Plasma-assisted molecular beam epitaxy of ZnO on in-situ grown GaN/4H-SiC buffer layers

David Adolph, Tobias Tingberg, Thorvald Andersson et al
Frontiers of Materials Science. Vol. 9 (2), p. 185-191
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2014

Nucleation and epitaxial growth of ZnO on GaN(0 0 0 1)

David Adolph, Tommy Ive
Applied Surface Science. Vol. 307, p. 438-443
Artikel i vetenskaplig tidskrift

Ladda ner publikationslistor

Du kan ladda ner denna lista till din dator.

Filtrera och ladda ner publikationslista

Som inloggad användare hittar du ytterligare funktioner i MyResearch.

Du kan även exportera direkt till Zotero eller Mendeley genom webbläsarplugins. Dessa hittar du här:

Zotero Connector
Mendeley Web Importer

Tjänsten SwePub erbjuder uttag av Researchs listor i andra format, till exempel kan du få uttag av publikationer enligt Harvard och Oxford i .RIS, BibTex och RefWorks-format.

Visar 1 forskningsprojekt

2023–2026

Enkristallin Yttrium Aluminium Nitrid för Elektronik

Niklas Rorsman Mikrovågselektronik
David Adolph Mikrovågselektronik
Vetenskapsrådet (VR)

Det kan finnas fler projekt där David Adolph medverkar, men du måste vara inloggad som anställd på Chalmers för att kunna se dem.