DC characteristics of InAs/AlSb HEMTs at cryogenic temperatures
Paper i proceeding, 2009
Författare
Giuseppe Moschetti
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Wadefalk
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Mikael Malmkvist
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Eric Lefebvre
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Yannick Roelens
A. Noudeviwa
A. Olivier
Sylvain Bollaert
F. Danneville
Ludovic Desplanque
Xavier Wallart
Gilles Dambrine
2009 IEEE International Conference on Indium Phosphide & Related Materials
323-5
978-1-4244-3432-9 (ISBN)
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik
ISBN
978-1-4244-3432-9