DC characteristics of InAs/AlSb HEMTs at cryogenic temperatures
Paper i proceeding, 2009

Författare

Giuseppe Moschetti

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Wadefalk

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mikael Malmkvist

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Eric Lefebvre

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Yannick Roelens

A. Noudeviwa

A. Olivier

Sylvain Bollaert

F. Danneville

Ludovic Desplanque

Xavier Wallart

Gilles Dambrine

2009 IEEE International Conference on Indium Phosphide & Related Materials

323-5

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik

ISBN

978-1-4244-3432-9