Integrated receivers up to 220 GHz utilizing GaAs-mHEMT technology
Paper i proceeding, 2009

The status of integrated receivers for remote sensing and communication applications from 60 GHz to higher frequencies is reviewed. Recent receiver results for silicon and III-V technologies are compared with Schottky diode receivers.

millimeterwave receiver MMIC

Författare

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Wadefalk

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

R. Kuzhuharov

Chalmers

Sten Gunnarsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Serguei Cherednichenko

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Iltcho Angelov

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Morteza Abbasi

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Bertil Hansson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Vessen Vassilev

Chalmers, Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling

J. Svedin

Totalförsvarets forskningsinstitut (FOI)

S. Rudner

Totalförsvarets forskningsinstitut (FOI)

I. Kallfass

Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik - IAF

A. Leuther

Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik - IAF

2009 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2009; Singapore; Singapore; 9 January 2009 through 11 January 2009

225-228

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/RFIT.2009.5383658

ISBN

978-1-4244-5030-5

Mer information

Senast uppdaterat

2018-09-10