Integrated receivers up to 220 GHz utilizing GaAs-mHEMT technology
Paper i proceeding, 2009
The status of integrated receivers for remote sensing and communication applications from 60 GHz to higher frequencies is reviewed. Recent receiver results for silicon and III-V technologies are compared with Schottky diode receivers.
millimeterwave receiver MMIC
Författare
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Wadefalk
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
R. Kuzhuharov
Chalmers
Sten Gunnarsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Serguei Cherednichenko
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Iltcho Angelov
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Morteza Abbasi
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Bertil Hansson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Vessen Vassilev
Chalmers, Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling
J. Svedin
Totalförsvarets forskningsinstitut (FOI)
S. Rudner
Totalförsvarets forskningsinstitut (FOI)
I. Kallfass
Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik - IAF
A. Leuther
Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik - IAF
2009 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2009; Singapore; Singapore; 9 January 2009 through 11 January 2009
225-228
978-1-4244-5030-5 (ISBN)
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/RFIT.2009.5383658
ISBN
978-1-4244-5030-5