High field effect mobility in n-channel Si face 4H-SiC MOSFETs with gate oxide grown on aluminum ion-implanted material
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005

Författare

Gudjon Gudjonsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Halldor Olafsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Fredrik Allerstam

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Einar Sveinbjörnsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Thomas Rödle

IEEE Electron Device Letters

Vol. 26 96-98

Ämneskategorier

Annan elektroteknik och elektronik