High field effect mobility in n-channel Si face 4H-SiC MOSFETs with gate oxide grown on aluminum ion-implanted material
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2005
Författare
Gudjon Gudjonsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Halldor Olafsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Fredrik Allerstam
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Einar Sveinbjörnsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Thomas Rödle
Hendrikus Jos
IEEE Electron Device Letters
Vol. 26 2 96-98
Ämneskategorier
Annan elektroteknik och elektronik