Passivation of InGaAs/InAlAs/InP HEMTs using Al2O3 atomic layer deposition
Paper i proceeding, 2011
InGaAs/InAlAs/InP HEMTs (InP HEMTs) passivated by Al2O3 atomic layer deposition (ALD) demonstrated improved DC performance compared to Si3N4 plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). DC measurements have been performed on 130 nm gate-length devices before and after passivation. An increase in maximum drain current density of 20% and extrinsic transconductance of 30% were observed after both ALD and PECVD device passivation. In comparison to PECVD passivated InP HEMTs, ALD passivated devices demonstrated a full suppression of a kink in the I-V characteristics associated with surface traps.
Författare
Joel Schleeh
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
John Halonen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Bengt Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Lunjie Zeng
Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys
Ramvall P.
Niklas Wadefalk
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Eva Olsson
Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011, Berlin, 22-26 May 2011
1092-8669 (ISSN)
978-145771753-6 (ISBN)
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier
Fysik
ISBN
978-145771753-6