Passivation of InGaAs/InAlAs/InP HEMTs using Al2O3 atomic layer deposition
Paper i proceeding, 2011

InGaAs/InAlAs/InP HEMTs (InP HEMTs) passivated by Al2O3 atomic layer deposition (ALD) demonstrated improved DC performance compared to Si3N4 plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). DC measurements have been performed on 130 nm gate-length devices before and after passivation. An increase in maximum drain current density of 20% and extrinsic transconductance of 30% were observed after both ALD and PECVD device passivation. In comparison to PECVD passivated InP HEMTs, ALD passivated devices demonstrated a full suppression of a kink in the I-V characteristics associated with surface traps.

Författare

Joel Schleeh

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

John Halonen

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Bengt Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Lunjie Zeng

Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys

Ramvall P.

Niklas Wadefalk

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Eva Olsson

Chalmers, Teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011, Berlin, 22-26 May 2011

1092-8669 (ISSN)

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Fysik

ISBN

978-145771753-6

Mer information

Skapat

2017-10-06