Influence of gate-channel distance in low-noise InP HEMTs
Paper i proceeding, 2013

The effect on the electrical properties, relevant to noise, from the gate-channel distance (barrier layer thickness) in 130 nm gate-length InP HEMTs was investigated. An increased quality of pinch-off was seen in HEMTs with an 8 nm barrier layer thickness compared to an 11 nm barrier. For the 8 nm barrier material the gate leakage increased from 1 mu A/mm to 7 mu A/mm at -1 V gate bias.

InP HEMT

LNA

noise

Författare

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Helena Rodilla

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Joel Schleeh

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Wadefalk

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

1092-8669 (ISSN)

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/ICIPRM.2013.6562602

ISBN

978-1-4673-6130-9