Low Phase Noise GaN HEMT Oscillators With Excellent Figures of Merit
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2014

This letter presents guidelines for the design of low phase noise oscillators in GaN high electron mobility transistor (HEMT) technology. The design starts from bias-dependent low-frequency (LF) noise measurements. Oscillator topology and bias point are then chosen for operation in regions where LF noise is low. The best LF noise properties are obtained for low drain voltage and current. Thus, the low phase noise can be achieved at low dc power which also means that power normalized phase noise figure of merit (FOM) will be good.

low frequency noise

oscillator

MMIC

GaN HEMT

phase noise

negative resistance

Författare

Szhau Lai

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Dan Kuylenstierna

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

MUSTAFA ÖZEN

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Mikael Hörberg

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Rorsman

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Iltcho Angelov

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

IEEE Microwave and Wireless Components Letters

1531-1309 (ISSN)

Vol. 24 6 412-414

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

Annan elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/LMWC.2014.2313585

Mer information

Skapat

2017-10-07