Electric-Based Thermal Characterization of GaN Technologies Affected by Trapping Effects
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2020
measurement
electrothermal effects
thermal resistance
gallium nitride (GaN)
Characterization
Författare
Johan Bremer
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Chen Ding Yuan
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Aleksandra Malko
United Monolithic Semiconductors (UMS)
Manfred Madel
United Monolithic Semiconductors (UMS)
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Sten Gunnarsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap
Kristoffer Andersson
Ericsson AB
Torbjörn Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Elektronikmaterial
Peter E. Raad
Southern Methodist University
Pavel L. Komarov
TMX Scientific
Travis L. Sandy
TMX Scientific
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE Transactions on Electron Devices
0018-9383 (ISSN) 15579646 (eISSN)
Vol. 67 5 1952-1958 9063497Ämneskategorier
Annan materialteknik
Annan elektroteknik och elektronik
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/TED.2020.2983277