Tongde Huang

Visar 9 publikationer

2020

Impact of AlGaN/GaN Interface and Passivation on the Robustness of Low-Noise Amplifiers

Tongde Huang, Olle Axelsson, Johan Bergsten et al
IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 67 (6), p. 2297-2303
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2019

A power detector based on GaN high-electron-mobility transistors for a gigabit on–off keying demodulator at 90 GHz

Tongde Huang, Sining An, Johan Bergsten et al
Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 58 (SC)
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2018

Enhanced gate stack stability in GaN transistors with gate dielectric of bilayer SiNx by low pressure chemical vapor deposition

Tongde Huang, Huaxing Jiang, Johan Bergsten et al
Applied Physics Letters. Vol. 113 (23)
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2018

Small- and Large-Signal Analyses of Different Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiNx Passivations for Microwave GaN HEMTs

Tongde Huang, Johan Bergsten, Mattias Thorsell et al
IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 65 (3), p. 908-914
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2017

Achieving Low-Recovery Time in AlGaN/GaN HEMTs With AlN Interlayer Under Low-Noise Amplifiers Operation

Tongde Huang, Olle Axelsson, Johan Bergsten et al
IEEE Electron Device Letters. Vol. 38 (7), p. 926-928
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2016

Fabrication and improved performance of AlGaN/GaN HEMTs with regrown ohmic contacts and passivation-first process

Tongde Huang, C. Liu, Johan Bergsten et al
2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016; Toyama, Japan, p. Article no. 7528722-
Paper i proceeding
2016

Influence on Noise Performance of GaN HEMTs With In Situ and Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiNx Passivation

Tongde Huang, Olle Axelsson, Thi Ngoc Do Thanh et al
IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 63 (10), p. 3887-3892
Reviewartikel
2015

Suppression of Dispersive Effects in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Using Bilayer SiNx Grown by Low Pressure Chemical Vapor Deposition

Tongde Huang, Anna Malmros, Johan Bergsten et al
IEEE Electron Device Letters. Vol. 36 (6), p. 537-539
Artikel i vetenskaplig tidskrift
2015

Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiNx Passivated AlGaN/GaN HEMTs for Power Amplifier Application

Tongde Huang, Olle Axelsson, Anna Malmros et al
2015 Asia-Pacific Microwave Conference (Apmc), Vols 1-3. Vol. 3
Paper i proceeding

Ladda ner publikationslistor

Du kan ladda ner denna lista till din dator.

Filtrera och ladda ner publikationslista

Som inloggad användare hittar du ytterligare funktioner i MyResearch.

Du kan även exportera direkt till Zotero eller Mendeley genom webbläsarplugins. Dessa hittar du här:

Zotero Connector
Mendeley Web Importer

Tjänsten SwePub erbjuder uttag av Researchs listor i andra format, till exempel kan du få uttag av publikationer enligt Harvard och Oxford i .RIS, BibTex och RefWorks-format.

Det finns inga projekt att visa.
Det kan finnas fler projekt där Tongde Huang medverkar, men du måste vara inloggad som anställd på Chalmers för att kunna se dem.