Ultralow-Power Cryogenic InP HEMT With Minimum Noise Temperature of 1 K at 6 GHz
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2012

We present in this letter an InGaAs/InAlAs/InP high-electron-mobility transistor (InP HEMT) with record noise temperature at very low dc power dissipation. By minimizing parasitic contact and sheet resistances and the gate current, a 130-nm-gate-length InP HEMT was optimized for cryogenic low-noise operation. When integrated in a 4- to 8-GHz three-stage hybrid low-noise amplifier operating at 10 K, a noise temperature of 1.2 K +/- 1.3 K at 5.2 GHz was measured. The gain of the amplifier across the entire band was 44 dB, consuming only 4.2 mW of dc power. The extracted minimum noise temperature of the InP HEMT was 1 K at 6 GHz.

low power

low noise

InGaAs/InAlAs/InP high-electron-mobility transistor (InP HEMT)

Cryogenic

Författare

Joel Schleeh

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Göran Alestig

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

John Halonen

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Anna Malmros

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Bengt Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Piotr Starski

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Wadefalk

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

IEEE Electron Device Letters

0741-3106 (ISSN)

Vol. 33 5 664-666 6170540

Ämneskategorier

Fysik

DOI

10.1109/led.2012.2187422