Cryogenic 0.5-13 GHz low noise amplifier with 3 K mid-band noise temperature
Paper i proceeding, 2012
A 0.5-13 GHz cryogenic MMIC low-noise amplifier (LNA) was designed and fabricated using a 130 nm InP HEMT process. A packaged LNA has been measured at both 300 K and 15 K. At 300 K the measured minimum noise temperature was 48 K at 7 GHz. At 15 K the measured minimum noise temperature was 3 K at 7 GHz and below 7 K within the entire 0.5-13 GHz band. The gain was between 34 dB and 40 dB at 300 K and between 38 dB and 44 dB at 4 K.
InGaAs
Cryogenic
Bandwidth
Low noise amplifier (LNA)
HEMT
Författare
Joel Schleeh
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Niklas Wadefalk
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Piotr Starski
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Göran Alestig
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
John Halonen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Bengt Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Anna Malmros
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
0149645X (ISSN)
6259542978-146731087-1 (ISBN)
Ämneskategorier
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/MWSYM.2012.6259542
ISBN
978-146731087-1