Cryogenic 0.5-13 GHz low noise amplifier with 3 K mid-band noise temperature
Paper i proceeding, 2012

A 0.5-13 GHz cryogenic MMIC low-noise amplifier (LNA) was designed and fabricated using a 130 nm InP HEMT process. A packaged LNA has been measured at both 300 K and 15 K. At 300 K the measured minimum noise temperature was 48 K at 7 GHz. At 15 K the measured minimum noise temperature was 3 K at 7 GHz and below 7 K within the entire 0.5-13 GHz band. The gain was between 34 dB and 40 dB at 300 K and between 38 dB and 44 dB at 4 K.

InGaAs

Cryogenic

Bandwidth

Low noise amplifier (LNA)

HEMT

Författare

Joel Schleeh

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Wadefalk

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Piotr Starski

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Göran Alestig

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

John Halonen

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Bengt Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Anna Malmros

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest

0149645X (ISSN)

6259542

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/MWSYM.2012.6259542

ISBN

978-146731087-1