An InP MMIC process optimized for low noise at Cryo
Paper i proceeding, 2014

An InP MMIC process was developed and optimized for ultra-low noise amplifiers (LNAs) operating at cryogenic temperature. The amplifiers from the process are working up to 100 GHz. The processed wafers are 4" and can carry more than 4000 3-stage units. For a significant number of 6-20 GHz 3-stage LNAs we have measured an average noise temperature of 5.8 K at ambient temperature of 10 K, state of the art in this frequency range, and 66.3 K at 300K. Associated gain was 35.9 dB (10K) and 33.2 dB (300 K). The standard deviation at room temperature for 47 LNAs was 1.5 K for the noise and 0.3 dB for the gain.

MMIC

InP HEMT

Low noise amplifier (LNA)

Cryogenic

Författare

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Niklas Wadefalk

Piotr Starski

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Helena Rodilla

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik

Göran Alestig

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

John Halonen

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Bengt Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Technical Digest - IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSIC

1550-8781 (ISSN)

Ämneskategorier

Elektroteknik och elektronik

DOI

10.1109/CSICS.2014.6978542

ISBN

9781479936229