Cryogenic Low Noise Amplifiers in an InP HEMT MMIC Process
Paper i proceeding, 2015

An indium phosphide HEMT MMIC process was developed for ultralow noise amplifiers (LNAs) at cryogenic temperatures. The process was run on 4” wafers and utilized 130 nm gate-length HEMTs. Several wide band LNAs were made in a frequency range between 1 GHz and 100 GHz. A Ka band LNA had a minimum noise temperature of 10 K and a gain of 35 dB.

Författare

Per-Åke Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Arsalan Pourkabirian

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Joel Schleeh

Low Noise Factory AB

Niklas Wadefalk

Low Noise Factory AB

Piotr Starski

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Göran Alestig

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

John Halonen

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Bengt Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Herbert Zirath

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Asia-Pacific Microwave Conference, APMC 2015, Nanjing, China, 6-9 December 2015

Vol. 1 Art. no. 7411746-

Styrkeområden

Informations- och kommunikationsteknik

Nanovetenskap och nanoteknik

Ämneskategorier

Nanoteknik

Annan elektroteknik och elektronik

Infrastruktur

Nanotekniklaboratoriet

DOI

10.1109/APMC.2015.7411746

ISBN

978-1-4799-8765-8

Mer information

Skapat

2017-10-07