Cryogenic Low Noise Amplifiers in an InP HEMT MMIC Process
Paper i proceeding, 2016
An indium phosphide HEMT MMIC process was developed for ultralow noise amplifiers (LNAs) at cryogenic temperatures. The process was run on 4” wafers and utilized 130 nm gate-length HEMTs. Several wide band LNAs were made in a frequency range between 1 GHz and 100 GHz. A Ka band LNA had a minimum noise temperature of 10 K and a gain of 35 dB.
Författare
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Arsalan Pourkabirian
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Joel Schleeh
Low Noise Factory AB
Niklas Wadefalk
Low Noise Factory AB
Piotr Starski
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Göran Alestig
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
John Halonen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Bengt Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Asia-Pacific Microwave Conference, APMC 2015, Nanjing, China, 6-9 December 2015
Vol. 1 Art. no. 7411746-
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier
Nanoteknik
Annan elektroteknik och elektronik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
DOI
10.1109/APMC.2015.7411746