Cryogenic low-noise InP HEMTs: A source-drain distance study
Paper i proceeding, 2016
The scaling effect of the source-drain distance was investigated in order to improve the performance of low-noise InP HEMTs at cryogenic temperatures 4-15 K. The highest dc transconductance at an operating temperature of 4.8 K and low bias power was achieved at a source-drain distance of 1.4 mu m. The extracted HEMT minimum noise temperature was 0.9 K at 5.8 GHz for a 3-stage 4-8 GHz hybrid low-noise amplifier at 10 K.
InP HEMT
low noise temperature
cryogenic operation
Författare
Eunjung Cha
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Arsalan Pourkabirian
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Joel Schleeh
Low Noise Factory AB
Niklas Wadefalk
Low Noise Factory AB
Giuseppe Moschetti
Low Noise Factory AB
Piotr Starski
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
Göran Alestig
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
John Halonen
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Bengt Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet
Gigahertzcentrum
Per-Åke Nilsson
Gigahertzcentrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Gigahertzcentrum
2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016
Article number 7528576-
978-150901964-9 (ISBN)
Ämneskategorier
Den kondenserade materiens fysik
DOI
10.1109/ICIPRM.2016.7528576
ISBN
978-150901964-9