Cryogenic low-noise InP HEMTs: A source-drain distance study
Paper i proceeding, 2016

The scaling effect of the source-drain distance was investigated in order to improve the performance of low-noise InP HEMTs at cryogenic temperatures 4-15 K. The highest dc transconductance at an operating temperature of 4.8 K and low bias power was achieved at a source-drain distance of 1.4 mu m. The extracted HEMT minimum noise temperature was 0.9 K at 5.8 GHz for a 3-stage 4-8 GHz hybrid low-noise amplifier at 10 K.

InP HEMT

low noise temperature

cryogenic operation

Författare

Eunjung Cha

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Arsalan Pourkabirian

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

GigaHertz Centrum

Joel Schleeh

Low Noise Factory AB

Niklas Wadefalk

Low Noise Factory AB

Giuseppe Moschetti

Low Noise Factory AB

Piotr Starski

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

GigaHertz Centrum

Göran Alestig

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

John Halonen

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

Bengt Nilsson

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Nanotekniklaboratoriet

GigaHertz Centrum

Per-Åke Nilsson

GigaHertz Centrum

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

Jan Grahn

Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik

GigaHertz Centrum

2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016

Article number 7528576-

Ämneskategorier

Den kondenserade materiens fysik

DOI

10.1109/ICIPRM.2016.7528576

ISBN

978-150901964-9